Kammeugne, R. K.; Leroux, C.; Frutuoso, T. M.; Cluzel, J.; Vauche, L.; Gwoziecki, R.; Garros, X.; Charles, M.; Bano, E.; Ghibaudo, G. . In Depth Parasitic Capacitance Analysis on GaN-HEMTs With Recessed MIS Gate. J. Electron. Electric. Eng. 2022, 1, 3.